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小米發布GaN充電器,2020年將是GaN的起飛之年

荷葉塘 ? 來源:電子發燒友網 ? 作者:程文智 ? 2020-02-22 13:07 ? 次閱讀

2月13日,小米舉辦的小米10線上發布會上,除了手機,還有兩個很有亮點的產品,一個是支持WiFi6的路由器,還有一個就是使用了氮化鎵(GaN)功率器件的65W充電器。近期更是傳言蘋果也將推出65W的GaN充電器。如果再有蘋果的加持的話,GaN市場在2020年肯定能一飛沖天。

其實從2018年開始就陸續有廠商推出了GaN充電器,只是在國內沒開發布會而已。比如在2020年的CES上,參展的GaN充電器已經多達66款,涵蓋了18W、30W、65W和100W等多個功率。

圖1:雷軍在小米10在線發布會上介紹GaN充電器。

GaN可以給充電器帶來什么?

為什么越來越多的廠商開始關注GaN,并將之應用到自己的產品中呢?因為GaN是一種更新型的半導體材料,它與碳化硅(SiC)一起被成為“第三代半導體材料”,與硅、砷化鎵等傳統的半導體材料相比,具有更寬的帶隙。其中硅的能隙是1.1電子伏特,砷化鎵的能隙為1.4電子伏特,而GaN是3.4電子伏特。

因此,GaN具有更高的擊穿電壓(使用GaN時大于200V);能夠承受高的輸入/輸出錯配(通常>15:1VSWR);具有更高的結溫,平均無故障時間為一百萬個小時。

此外,它還具有熱導率高、耐高溫、抗輻射、耐酸堿、高強度和高硬度等特性。

圖2:GaN技術成熟度曲線。

根據Gartner繪制的GaN技術成熟度曲線,GaN產品目前處于技術成熟度曲線的第二個攀升階段,也就是說它的熱潮時間段已經過去,走出了泡沫化的低谷期,已經進入了穩步爬升的光明期,現在正是氮化鎵產品和技術發展的良機。

隨著GaN技術獲得突破,成本得到控制,除了射頻微波領域,它還被廣泛應用到了消費類電子等領域,其中快速充電器便是一例。

采用了GaN功率器件的充電器最直觀的感受就是體積小、重量輕,在發熱量、效率轉換上相比普通充電器也有更大的優勢,大大的提升了用戶的使用體驗。


圖3:GaN半導體材料的特性。

PI公司資深技術培訓經理閻金光曾在利用PowiGaN開關技術擴展的InnoSwitch3 IC產品發布會上介紹說,用GaN開關替代硅MOSFET,可以極大地降低開關損耗,從而可以提高系統的效率;另外,由于GaN可以工作在高頻段,因此可以使得整個電路的開關工作頻率從原來的50~60kHz,提高到200~500kHz及以上,工作頻率高了后,就可以大幅縮小變壓器等器件的體積,從而提高了產品的功率密度,讓產品的體積可以做得更小,效率做得更高。同時,因為效率提高了,散熱也更好處理,有些產品甚至都不需要加散熱片了。

快速充電器GaN芯片廠商有哪些?

據公開資料顯示,小米這款65W氮化鎵充電器型號的為AD65G,支持100-240V @ 50/60Hz全球電壓輸入;配備一個USB-C接口,支持USB PD3.0快速充電協議,并有5V/3A、9V/3A、10V/5A、12V/3A、15V/3A、20V/3.25A六組輸出電壓檔位,最大輸出功率65W。其中10V/5A特殊電壓檔是專為小米10Pro設計,能夠以50W的疾速快充功率為小米10 Pro充電,從0充電至100%僅需45分鐘。


圖4:不同充電器的尺寸對比。

納微(Navitas)半導體發布的新聞稿中提到,小米65W GaN充電器Type-C 65W采用的是納微半導體的NV6115和NV6117 GaNFast功率IC,它們針對高頻、軟開關拓撲進行了優化,通過FET、驅動器和邏輯的單片集成,創建了非常小并且非常快的易于使用的 “數字輸入,電源輸出” 高性能電源轉化模塊。使用GaNFast技術,小米65W GaN充電器的尺寸為56.3×30.8×30.8mm(53 cc),是小米10Pro標配適配器的一半大小。

而納微半導體是一家于2014年在美國加利福尼亞州 El Segundo 成立的GaN功率IC公司。其擁有強大且不斷增長的功率半導體行業專家團隊,在材料、器件、 應用程序、系統和營銷及創新成功記錄的領域內,經驗豐富。此外,其多位創始人總共加起來擁有超過200項專利。

從其官網上,我們可以看到,該公司總共發布了三款GaNFast產品,分別是NV6113、NV6115和NV6117。


圖5:納微半導體的三款GaN產品。(來源:納微半導體官網)

當前市場上的GaN充電器主要采用的是650V GaN功率芯片作為功率開關。由于GaN功率芯片采用的是異質外延材料,在設計和制造工藝上都有極大的挑戰,因此全球范圍內成熟可量產的GaN產線其實并不多。

現有市場上主流的GaN充電器背后的GaN功率芯片主要來源于三大芯片廠商,除了納微半導體,還有Power Integrations(PI)和英諾賽科。


圖6:市面上流行的GaN充電器背后的三家芯片廠商。(數據來源:充電頭網)

*IDM: Integrated Design Manufacturer,集成設計制造商,既有IC設計能力也有IC制造能力的公司

**Fabless:無晶圓廠的IC設計公司,只負責IC的設計,不負責IC的制造生產,一般其IC交由專業的代工廠進行加工
?

其中,PI的總部位于美國硅谷,是一家擁有三十多年歷史,專注于高壓電源管理和控制的電子元器件及電源方案供應商。其PowGaN品牌的GaN產品是2019年9月正式推出的,其實在品牌正式推出前,PI的GaN功率芯片已經在給客戶出貨了。

據其微信公眾號新聞介紹,在2019年9月30日時,PI的CEO Balu Balakrishnan親手將第100萬顆PowiGaN GaN功率器件交給了安克創新的CEO陽萌。也就是說在9月底時,PI的GaN芯片出貨量已經突破100萬顆了。

目前 PI共有四款產品采用PowiGaN技術。分別是:

InnoSwitch3-Pro - 適合可動態控制電壓及電流的電源應用;

InnoSwitch3-EP - 適合敞開式環境的電源應用;

InnoSwitch3-CP - 適合需要恒功率輸出特性的充電應用;

LYTSwitch-6 - 適合LED 照明及鎮流器應用。

另外一家英諾賽科(Innoscience)是一家國產硅基氮化鎵廠商,它由海歸團隊于2015年12月發起并成立。公司一期項目坐落于珠海市國家級高新區,占地1.7萬平米,投資10.95億元,于2017年建成了全球首條8英寸增強型硅基氮化鎵功率器件量產線,2018年6月發布8英寸硅基氮化鎵WLCSP功率產品。二期項目坐落于蘇州市吳江汾湖高新區, 占地24.5萬平米,于2018年6月開工建設,預計2020年投入生產。

英諾賽科采用了集研發、設計、生產、制造和測試為一體的IDM模式,公司在可靠性和失效分析上進行戰略投入, 建立了自有分析平臺。它主要生產30V-650V氮化鎵功率器件、功率模塊和射頻器件等產品。公司目前有單管GaN FET、半橋GaN FET和GaN IC三大類產品。

GaN還有哪些應用及玩家?

GaN除了可以應用在快充領域,在射頻、汽車電子和光電子領域也應用較為廣泛。自 20 年前出現首批商業產品以來,GaN 已成為射頻功率應用中 LDMOS 和 GaAs 的重要競爭對手,其性能 和可靠性不斷提高且成本不斷降低。第一批SiC基GaN和硅基GaN器件幾乎同時出現,但SiC基GaN技術更加成熟,目前在射頻GaN市場上占主導地位的是SiC基GaN產品,尤其是隨著5G的到來,GaN將會在Sub-6GHz宏基站和毫米波(24GHz以上)小基站中找到一席之地。

不過,在GaN射頻市場,主要以美國和日本廠商為主,歐洲廠商次之,中國主要是一些新進的企業。據Yole統計,2019 年全球3750多項專利一共可分為1700多個專利家族。這些專利涉及RF GaN外延、RF半導體器件、集成電路和封裝等。Cree(Wolfspeed)擁有最強的專利實力,在RF應用的GaN HEMT專利競爭中,尤其在SiC基GaN技術方面處于領先地位,遠遠領先于其主要專利競爭對手住友電工和富士通英特爾和MACOM是目前最活躍的RF GaN專利申請者,主要聚焦在硅基GaN技術領域。GaN RF HEMT相關專利領域的新進入者主要是中國廠商,例如 HiWafer(海威華芯),三安集成、華進創威。


圖7:GaN射頻市場重要玩家的專利實力。(來源:Yole)

與硅基GaN射頻相關的專利自2011年以來一直穩定增長,與 SiC基GaN相關的專利則一直在波動。硅基GaN射頻專利中,17%的RF GaN專利明確聲明用于GaN襯底。主要專利受讓人是英特爾和MACOM,其次 是住友電工、英飛凌松下、HiWafer、CETC、富士通和三菱電機。

GaN MMIC 領域,東芝和Cree(Wolfspeed)擁有最重要的專利組合。Cree在該領域的IP地位最強,但是東芝目前是最活躍的專利申請人,在未來幾年中將進一步鞏固其IP地位。主要新進入者是Tiger Microwave (泰格微波)和華進創威。在RF GaN PA領域,Cree(Wolfspeed)處于領先地位。其他主要的IP廠商是東芝、 富士通、三菱電機、Qorvo、雷神公司和住友電機,新進者有MACOM。GaN RF開關領域,英特爾表現最活躍, 新進者有 Tagore Technology。英特爾是GaN RF濾波器的主要專利請人。

GaN技術有望大幅改進電源管理發電和功率輸出等應用。硅電源開關成功解決了低電壓(<100 伏)或高電壓容差(IGBT 和超結器件)中的效率和開關頻率問題。然而,由于硅的限制,單個硅功率FET中無法提供全部功能。寬帶隙功率晶體管(如GaN和SiC)可以在高壓和高開關頻率條件下提供高功率效率,從而遠遠超過硅MOSFET產品。

由于材料特性的差異,SiC在高于1200V的高電壓、大功率應用具有優勢,而GaN器件更適合40-1200V的高頻應用,尤其是在600V/3KW以下的應用場合。因此,在微型逆變器、伺服器、馬達驅動、UPS 等領域, GaN可以挑戰傳統MOSFET或IGBT器件的地位。GaN 讓電源產品更為輕薄、高效。

在去年三月份<電子發燒友>舉辦的BLDC電機論壇上,就有專家表示十分關注GaN技術的發展,因為GaN技術可以讓BLDC電機控制更加靈活,性能更好。

在汽車電子中,如果使用48V總線系統的話,GaN技術可以幫助提高效率,縮小尺寸,并降低系統成本。

其實一直以來,GaN功率器件都是由EPC、GaN Systems、Transphorm和Navitas此類的純GaN初創公司主導的,他們的產品主要是TSMC、Episil和X-FAB代工生產的。國內的新興代工廠中,三安集成和海威華芯具有量產GaN功率器件的能力。

在近幾年的激烈競爭中,英飛凌和 Transphorm 掌握了最頂級的功率GaN專利。英飛凌的專利最全面,可在各個GaN應用場景進行商業活動。而Transphorm則主攻功率GaN,暫時領先其他競爭廠商。

英飛凌,EPC 和瑞薩目前在積極地進行功率GaN專利的研發和申請。并且,英飛凌和英特爾都在研發將GaN功率器件與其他類型的器件(例如射頻電路和LED和/或Si CMOS 技術)進行單片集成的技術。

此外,GaN也是藍光LED的基礎材料,在MicroLED和紫外激光器中有著重要作用。

其他重要的GaN企業

CREE:全球最大的SiC和GaN器件制造商

Cree(Wolfspeed)在全球LED芯片、LED組件、照明產品、電源轉換和無線通信設備市場中處于領導地位。Cree具備SiC功率器件及GaN射頻器件生產能力,其中SiC功率器件市場,Wolfspeed 擁有全球最大的份額,公司也引領了SiC晶圓尺寸的變化浪潮。在GaN射頻市場,Wolfspeed位居第二。公司的GaN HEMT出貨 量超過1500萬只,并進一步拓展了GaN-on-SiC代工服務。

英飛凌:半導體與系統解決方案提供商

英飛凌提供各種半導體解決方案,包括微控制器,LED 驅動器,傳感器以及汽車和電源管理 IC 等。在2019年6月宣布收購賽普拉斯Cypress)之后,Infineon 成為全球第八大芯片制造商。

美國國際整流(IR)公司于2010年推出了第一批商用化的GaN產品iP2010和iP2011,用于多相和POL的DC-DC轉換器、開關和服務器等。2013年5月,IR開始了硅基GaN器件的商業化。

2014年9月,英飛凌以30億美元收購了IR,通過此次收購,英飛凌取得了IR的硅基GaN功率半導體技術。

2015年3月,英飛凌和松下達成協議,聯合開發采用松下電器的常閉式硅基GaN晶體管,于英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件,推出高能效600V GaN功率器件。松下向英飛凌授予了使用其常閉型GaN晶體管結構的許可。按照協議,兩家公司均可生產高性能GaN器件。

2018年12月份,英飛凌宣布其硅基GaN產品開始量產,在其新聞發布會上,英飛凌發布了采用氮化鎵材料的CoolGaN 400V和600V增強型HEMT產品。


圖8:GaN的技術優勢。

住友電工:全球GaN射頻器件第一大供應商

住友集團具有400年淵源歷史,旗下住友電工(Sumitomo Electric)主要生產GaAs低噪聲放大器(LNA)、 GaN放大器、光收發器及模塊。住友電工為全球GaN射頻器件第一大供應商,同時也是華為GaN射頻器件第一大供應商,住友電工還向華為供應大量的光收發器及模塊,位列華為50大核心供應商之列。住友電工壟斷全球GaN襯底市場,其技術在業內處于領先地位。

意法半導體:與業界聯手搶占GaN汽車電子市場

意法半導體正在將產品組合擴展至GaN領域。在2018年2月份的時候,意法半導體(ST)與MACOM簽署了一份硅基氮化鎵合作開發協議,根據協議,意法半導體為MACOM制造硅基氮化鎵射頻芯片。除了擴大MACOM的貨源外,該協議還授權意法半導體在手機、無線基站和相關商用電信基礎建設之外的射頻市場制造、銷售硅基氮化鎵產品。

2018年9月,意法半導體展示了其在功率GaN方面的研發進展,并宣布將建設一條新產線,生產包括硅基GaN異質外延在內的產品。

并于2018年與CEA-Leti展開功率GaN合作,主要涉及常關型GaN HEMT和GaN二極管設計和研發,這將充分發揮CEA-Leti的IP和意法半導體的專業知識。意法半導體在位于法國格勒諾布爾的CEA-Leti中試線上研發產品,并在技術成熟后轉移至意法半導體的8英寸量產線(也在法國)。

2020年2月21日,意法半導體又攜手TSMC,合作加速氮化鎵工藝技術的開發,并將分離式與整合式氮化鎵元件導入市場。通過此合作,意法半導體將采用TSMC公司的氮化鎵工藝技術來生產其氮化鎵產品。據稱此次合作主要是針對汽車用的氮化鎵產品。

安森美半導體:正在與Transphorm合作

在功率GaN研發方面,安森美正在與Transphorm合作,共同開發和推廣基于GaN的產品和電源系統方案,用于工業、計算機、通信、LED照明及網絡的各種高壓領域。基于同一導通電阻等級,該公司第一代600 V硅基GaN器件已比高壓硅MOSFET提供好4倍以上的門極電荷、更好的輸出電荷、差不多的輸出電容和好20倍以上的反向恢復電荷,通過繼續改進,未來GaN的優勢將會越來越明顯。

松下:解決了很多課題

在GaN開發過程中、松下解決了很多課題。特別是其X-GaN系列,優點突出,主要體現在以下3個方面:

安全(實現常關);

和Si-MOSFET相同的驅動方法(不容易壞的柵極);

易于設計(無電流崩塌)。

X-GaN采用HD-GIT結構,從小功率到大功率設備,可提供最合適的封裝選擇。小功率提供DFN6x4,中大功率提供DFN8x8,大功率提供PSOP封裝。

另外,其所有產品都可采用Kelvin Source,可以把源極寄生電感降到最小,實現高頻穩定工作。

結語

隨著5G時代的到來,5G基站的大規模建設對GaN射頻有著巨大的需求,加上國內小米、OPPO等手機廠商在旗艦機型中采用GaN快充,GaN功率芯片的出貨量有望在今年一飛沖天。

GaN之前一直沒能普及,與其高高在上的價格不無關系,而現在,隨著市場需求量增大、大規模生產的實現,以及工藝技術的革新等原因,GaN器件的價格有望走向平民化,這對GaN器件的普及也鋪平了道路。

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的頭像 汽車玩家 發表于 03-22 18:11 ? 676次 閱讀
小米的LCD屏下指紋解鎖技術解密

小米計劃在未來五年內在人工智能,5G和“物聯網”技術上投資70億美元

“我們需要將在物聯網和智能生活方面的持續優勢轉變為在智能全場景中的絕對勝利,并完全鞏固我們在智能時代....
的頭像 倩倩 發表于 03-22 16:18 ? 805次 閱讀
小米計劃在未來五年內在人工智能,5G和“物聯網”技術上投資70億美元

2019年小米擠進智能投影市場前十,銷量同比增長遠超行業增長水平

根據洛圖科技(RUNTO)《中國智能投影零售市場月度追蹤(Chinese Smart Project....
的頭像 牽手一起夢 發表于 03-22 11:36 ? 1459次 閱讀
2019年小米擠進智能投影市場前十,銷量同比增長遠超行業增長水平

小米出貨量超華為?智能手機出貨量暴跌38%

據外媒報道,市場分析機構Strategy Analytics發布最新數據顯示,今年2月份全球智能手機....
的頭像 21克888 發表于 03-22 05:30 ? 2409次 閱讀
小米出貨量超華為?智能手機出貨量暴跌38%

氮化鎵場效應管制備方法的簡單分析

氮化鎵是第三代半導體的代表,具有寬禁帶、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率等優異的電學特性,在半導體器件....
的頭像 獨愛72H 發表于 03-21 16:28 ? 363次 閱讀
氮化鎵場效應管制備方法的簡單分析

Maxim MAX2270x隔離式柵極驅動器在貿澤開售 具有超高共模瞬態抗擾性(CMTI)

MAX22701E 是MAX22700–MAX22702系列的首款產品,屬于單通道隔離式柵極驅動器,....
發表于 03-21 08:17 ? 151次 閱讀
Maxim MAX2270x隔離式柵極驅動器在貿澤開售 具有超高共模瞬態抗擾性(CMTI)

寧德新能源的安全高效快充技術

寧德新能源的安全、高效電池充電方法,該方案對于人們擔憂的快充技術的安全性提出了全新的解決方案,可以有....
的頭像 汽車玩家 發表于 03-20 15:22 ? 373次 閱讀
寧德新能源的安全高效快充技術

從手機到電視 飛奔的視頻產業

日前,美國芯片巨頭博通把Netflix送上了被告席,博通公司狀告奈飛侵犯了八個和網絡視頻服務有關的技....
的頭像 張康康 發表于 03-20 15:16 ? 442次 閱讀
從手機到電視  飛奔的視頻產業

2月份小米手機出貨量排名上升,僅次于蘋果和三星

一場疫情讓手機市場遭受極大沖擊。權威市調機構Strategy Anaylytics日前發布的最新數據....
的頭像 牽手一起夢 發表于 03-20 15:02 ? 1876次 閱讀
2月份小米手機出貨量排名上升,僅次于蘋果和三星

專利解密之三安光電氮化鎵場效應管制備方法

氮化鎵是第三代半導體的代表,具有寬禁帶、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率等優異的電學特性,在半導體器件....
的頭像 獨愛72H 發表于 03-20 14:39 ? 412次 閱讀
專利解密之三安光電氮化鎵場效應管制備方法

報告:2020年智能手機用戶銷售量下降39%,本月三星居首位

3月19日消息, 研究和咨詢公司Strategy Analytics發布2020年2月份全球智能手機....
的頭像 牽手一起夢 發表于 03-20 14:39 ? 1199次 閱讀
報告:2020年智能手機用戶銷售量下降39%,本月三星居首位

麒麟820芯片攜榮耀30S將登場 5G中低端市場將全面開打

3月19日,從趙明發布微博中可以看出,榮耀新機將會首發中端5G處理器麒麟820,麒麟820將集成5G....
的頭像 章鷹 發表于 03-20 14:16 ? 2462次 閱讀
麒麟820芯片攜榮耀30S將登場 5G中低端市場將全面開打

2019年智能音箱市場銷量達4589萬臺,頭部廠商市場份額占比超過9成

2019年第四季度智能音箱市場出貨量1308萬臺,同比增長22.5%。隨著人工智能席卷各行各業和語音....
的頭像 牽手一起夢 發表于 03-20 14:16 ? 948次 閱讀
2019年智能音箱市場銷量達4589萬臺,頭部廠商市場份額占比超過9成

采用NV611X系列氮化鎵(GaN)進行電源設計熱處理及PCB layout 注意事項

介紹 GaN功率集成電路提供超低電容,優良的開關特性,低RDS(ON),封裝在一個小QFN封裝里。這....
的頭像 氮化鎵 (GaN) 應用 發表于 03-20 08:38 ? 651次 閱讀
采用NV611X系列氮化鎵(GaN)進行電源設計熱處理及PCB layout 注意事項

三安光電氮化鎵場效應管制作過程專利

三安光電提出的此項專利涉及氮化鎵晶體管的制備工藝,解決了現有方法中常規金屬材料熱穩定性和散熱差、工藝....
的頭像 汽車玩家 發表于 03-19 15:44 ? 439次 閱讀
三安光電氮化鎵場效應管制作過程專利

小米防閃爍傳感器消除頻閃更精準

官方介紹頻閃條紋就是我們從手機屏幕觀察另一臺電器的屏幕,手機拍攝畫面中會有一條條亮線從屏幕底部推移至....
的頭像 汽車玩家 發表于 03-19 15:30 ? 502次 閱讀
小米防閃爍傳感器消除頻閃更精準

三星研發1.5億像素的攝像頭,支持像素九合一實現更高光吸收率

手機拍照已經逐漸走向了兩個極端,一方面是華為劍走偏鋒的夜拍,另一方面則是三星小米主導的高像素。近日,....
的頭像 牽手一起夢 發表于 03-19 14:43 ? 678次 閱讀
三星研發1.5億像素的攝像頭,支持像素九合一實現更高光吸收率

傳小米放棄自研AP開發 澎湃S2處理器徹底涼透

大家上次聽到關于小米的自研處理器澎湃S2的消息應該是在2018年4月,當時都有消息指出小米的這顆處理....
的頭像 Carol Li 發表于 03-19 09:16 ? 1362次 閱讀
傳小米放棄自研AP開發 澎湃S2處理器徹底涼透

安森美提供的高質量CrystX?碳化硅將幫助工程師解決最獨特的設計挑戰

GT Advanced Technologies(GTAT)和安森美半導體(ON Semicondu....
的頭像 lyj159 發表于 03-19 09:07 ? 372次 閱讀
安森美提供的高質量CrystX?碳化硅將幫助工程師解決最獨特的設計挑戰

Microchip擴展碳化硅(SiC)電源器件系列產品,助力在系統層面優化效率、尺寸和可靠性

基于SBD的700V、1200V和1700V電源模塊可最大程度地提升開關效率、減少溫升和縮小系統尺寸....
發表于 03-19 07:40 ? 149次 閱讀
Microchip擴展碳化硅(SiC)電源器件系列產品,助力在系統層面優化效率、尺寸和可靠性

小米已經放棄了對智能手機處理器的開發

據報道,小米曾秘密成立過手機芯片研發部門,在經過長達兩年的時間,先后共投入了高達10億元研發資金,才....
的頭像 lhl545545 發表于 03-18 16:57 ? 1258次 閱讀
小米已經放棄了對智能手機處理器的開發

在印度可穿戴設備市場中 小米占據著絕對領先地位

在IDC近日公布的2019年第四季度全球可穿戴設備市場報告中,來自印度地區的可穿戴設備數據引起了大家....
發表于 03-18 15:28 ? 123次 閱讀
在印度可穿戴設備市場中 小米占據著絕對領先地位

在快充過程中,某些手機一直不停地出現斷開重連的情況,而有些手機又是正常的

可以嘗試將VBUS電壓稍微調低,DCDC在調壓瞬間可能產生電壓尖峰,導致手機觸發過壓保護。出現這種情況建議分兩段進行調壓...
發表于 02-20 14:20 ? 104次 閱讀
在快充過程中,某些手機一直不停地出現斷開重連的情況,而有些手機又是正常的

【微信精選】小米MIX Alpha:1億像素售19999;特斯拉組建軟件開發團隊;蔚來股價跌20%...

2.馬斯克:特斯拉正組建中國工程團隊 涉及軟件開發4.iOS13.1推送更新:修復大量BUG,隔空投送獲改進6.vivo首度回應自研芯...
發表于 10-02 07:00 ? 542次 閱讀
【微信精選】小米MIX Alpha:1億像素售19999;特斯拉組建軟件開發團隊;蔚來股價跌20%...

氮化鎵與矽的MOS開關比較

由於寬能隙功率元件的優異切換性能,近幾年已經漸漸被商用化。常見的問題,如:究竟寬能隙元件對於系統的功率密度與效率的提升幫...
發表于 09-19 09:05 ? 706次 閱讀
氮化鎵與矽的MOS開關比較

【微信精選】小米員工457人瓜分3億港元;特斯拉撞上消防車;蘋果發布會還可能推出Apple TV...

現在距離蘋果公司在史蒂夫喬布斯劇院舉行秋季新品發布會還有六天時間,外界普遍預計該公司將推出新款iPhone和Apple ...
發表于 09-16 07:30 ? 602次 閱讀
【微信精選】小米員工457人瓜分3億港元;特斯拉撞上消防車;蘋果發布會還可能推出Apple TV...

【微信精選】余承東發布新一代麒麟990;小米第一個在印度5年內銷量過億;王小川吐槽Bose700耳機...

1余承東:華為Mate X可折疊手機或下月開賣 根據華為消費者業務CEO余承東的說法,華為的可折疊手機Mate X可能會在下個月開...
發表于 09-15 07:00 ? 748次 閱讀
【微信精選】余承東發布新一代麒麟990;小米第一個在印度5年內銷量過億;王小川吐槽Bose700耳機...

求助,小米8不開機,經檢測是字庫損壞,求回復資料的方案,如能處理會付費

小米8入手半年,摔過一次,換了屏幕,某寶換的,組裝屏; 一個月前使用英語流利說,突然卡機,想重啟,可以一直開不了機了。 小...
發表于 09-02 15:19 ? 1653次 閱讀
求助,小米8不開機,經檢測是字庫損壞,求回復資料的方案,如能處理會付費

什么因素推動射頻半導體格局的變化?

當今的半導體行業正在經歷翻天覆地的變化,這主要是由于終端市場需求變化和重大整合引起。幾十年前,業內有許多家射頻公司,它們...
發表于 09-02 07:55 ? 271次 閱讀
什么因素推動射頻半導體格局的變化?

硅基氮化鎵與LDMOS相比有什么優勢?

射頻半導體技術的市場格局近年發生了顯著變化。 數十年來,橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業應用中的射頻半導...
發表于 09-02 07:16 ? 457次 閱讀
硅基氮化鎵與LDMOS相比有什么優勢?

氮化鎵有哪些卓越表現?

射頻半導體技術的市場格局近年發生了顯著變化。 ...
發表于 09-02 06:41 ? 344次 閱讀
氮化鎵有哪些卓越表現?

QC3.0輸出電壓

QC3.0  輸出9V/12V檔的輸出電壓范圍標準是多少?...
發表于 08-19 10:29 ? 1195次 閱讀
QC3.0輸出電壓

FFSH3065ADN SiC二極管 650V 30A TO-247-3 共陰極

硅(SiC)肖特基二極管采用全新技術,可為硅提供卓越的開關性能和更高的可靠性。無反向恢復電流,溫度獨立開關特性和出色的熱性能使碳化硅成為下一代功率半導體。系統優勢包括最高效率,更快的工作頻率,更高的功率密度,更低的EMI以及更小的系統尺寸和成本。 特性 最高結溫175°C 高浪涌電流容量 正溫度系數 無逆向恢復/無正向恢復 應用 PFC 工業電源 太陽能 EV充電器 UPS 焊接 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 08-04 19:02 ? 25次 閱讀
FFSH3065ADN SiC二極管 650V 30A TO-247-3 共陰極

FFSH3065A SiC二極管 - 650 V 30 A.

硅(SiC)肖特基二極管采用全新技術,可為硅提供卓越的開關性能和更高的可靠性。無反向恢復電流,溫度獨立開關特性和出色的熱性能使碳化硅成為下一代功率半導體。系統優勢包括最高效率,更快的工作頻率,更高的功率密度,更低的EMI以及更小的系統尺寸和成本。 特性 最高結溫175°C 高浪涌電流容量 正溫度系數 無逆向恢復/無正向恢復 應用 PFC 工業電源 太陽能 EV充電器 UPS 焊接 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 08-04 19:02 ? 44次 閱讀
FFSH3065A SiC二極管 -  650 V 30 A.

FFSH2065ADN SiC二極管 650V 20A TO-247-3 共陰極

硅(SiC)肖特基二極管采用全新技術,可為硅提供卓越的開關性能和更高的可靠性。無反向恢復電流,溫度獨立開關特性和出色的熱性能使碳化硅成為下一代功率半導體。系統優勢包括最高效率,更快的工作頻率,更高的功率密度,更低的EMI以及更小的系統尺寸和成本。 特性 最高結溫175°C 高浪涌電流容量 正溫度系數 無逆向恢復/無正向恢復 應用 PFC 工業電源 太陽能 EV充電器 UPS 焊接 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 08-04 18:02 ? 76次 閱讀
FFSH2065ADN SiC二極管 650V 20A TO-247-3 共陰極

FFSH10120A SiC二極管 1200V 10A TO-247-2

硅(SiC)肖特基二極管采用全新技術,可為硅提供卓越的開關性能和更高的可靠性。無反向恢復電流,溫度獨立開關特性和出色的熱性能使碳化硅成為下一代功率半導體。系統優勢包括最高效率,更快的工作頻率,更高的功率密度,更低的EMI以及更小的系統尺寸和成本。 特性 最高結溫175°C 最高結溫175°C 正溫度系數 易于平行 無逆向恢復/無正向恢復 應用 PFC 工業電源 太陽能 EV充電器 UPS 焊接 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 08-04 18:02 ? 89次 閱讀
FFSH10120A SiC二極管 1200V 10A TO-247-2

FFSH30120A SiC二極管 1200V 30A TO-247-2

硅(SiC)肖特基二極管采用全新技術,可為硅提供卓越的開關性能和更高的可靠性。無反向恢復電流,溫度獨立開關特性和出色的熱性能使碳化硅成為下一代功率半導體。系統優勢包括最高效率,更快的工作頻率,更高的功率密度,更低的EMI以及更小的系統尺寸和成本。 特性 最高結溫175°C 正溫度系數 易于并行 無逆向恢復/無正向恢復 應用 PFC 工業電源 太陽能 EV充電器 UPS 焊接 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 08-04 17:02 ? 39次 閱讀
FFSH30120A SiC二極管 1200V 30A TO-247-2

FFSH2065A SiC二極管 - 650 V 20 A.

硅(SiC)肖特基二極管采用全新技術,可為硅提供卓越的開關性能和更高的可靠性。無反向恢復電流,溫度獨立開關特性和出色的熱性能使碳化硅成為下一代功率半導體。系統優勢包括最高效率,更快的工作頻率,更高的功率密度,更低的EMI以及更小的系統尺寸和成本。 特性 最高結溫175°C 高浪涌電流容量 正溫度系數 無逆向恢復/無正向恢復 應用 PFC 工業電源 太陽能 EV充電器 UPS 焊接 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 08-04 17:02 ? 55次 閱讀
FFSH2065A SiC二極管 -  650 V 20 A.

FFSH1665ADN SiC二極管 650V 16A TO-247-3 共陰極

硅(SiC)肖特基二極管采用全新技術,可為硅提供卓越的開關性能和更高的可靠性。無反向恢復電流,溫度獨立開關特性和出色的熱性能使碳化硅成為下一代功率半導體。系統優勢包括最高效率,更快的工作頻率,更高的功率密度,更低的EMI以及更小的系統尺寸和成本。 特性 最高結溫175°C 高浪涌電流容量 正溫度系數 無逆向恢復/無正向恢復 應用 PFC 工業電源 太陽能 EV充電器 UPS 焊接 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 08-04 16:02 ? 23次 閱讀
FFSH1665ADN SiC二極管 650V 16A TO-247-3 共陰極

FFSD0665A SiC二極管 - 650V 6A DPAK

硅(SiC)肖特基二極管采用全新技術,可為硅提供卓越的開關性能和更高的可靠性。無反向恢復電流,溫度獨立開關特性和出色的熱性能使碳化硅成為下一代功率半導體。系統優勢包括最高效率,更快的工作頻率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系統尺寸和成本。 Llew 特性 最高結溫175°C 高浪涌電流容量 正溫度系數 無逆向恢復/無正向恢復 應用 PFC 工業電源 太陽能 EV充電器 UPS 焊接 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 08-04 16:02 ? 21次 閱讀
FFSD0665A SiC二極管 -  650V 6A DPAK

FFSD0865A SiC二極管 - 650V 8A DPAK

硅(SiC)肖特基二極管采用全新技術,可為硅提供卓越的開關性能和更高的可靠性。無反向恢復電流,溫度獨立開關特性和出色的熱性能使碳化硅成為下一代功率半導體。系統優勢包括最高效率,更快的工作頻率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系統尺寸和成本。 Llew 特性 最高結溫175°C 高浪涌電流容量 正溫度系數 無逆向恢復/無正向恢復 應用 PFC 工業電源 太陽能 EV充電器 UPS 焊接 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 08-04 16:02 ? 58次 閱讀
FFSD0865A SiC二極管 -  650V 8A DPAK

FFSD0465A SiC二極管 - 650V 4A DPAK

硅(SiC)肖特基二極管采用全新技術,可為硅提供卓越的開關性能和更高的可靠性。無反向恢復電流,溫度獨立開關特性和出色的熱性能使碳化硅成為下一代功率半導體。系統優勢包括最高效率,更快的工作頻率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系統尺寸和成本。 Llew 特性 最高結溫175°C 高浪涌電流容量 正溫度系數 無逆向恢復/無正向恢復 應用 PFC 工業電源 太陽能 EV充電器 UPS 焊接 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 08-04 15:02 ? 26次 閱讀
FFSD0465A SiC二極管 -  650V 4A DPAK

FFSB10120A SiC二極管 1200V 10A D2PAK

硅(SiC)肖特基二極管采用全新技術,與硅相比,可提供卓越的開關性能和更高的可靠性。沒有反向恢復電流,溫度獨立開關特性和出色的熱性能使碳化硅成為下一代功率半導體。系統優勢包括最高效率,更快的工作頻率,更高的功率密度,更低的EMI,以及降低的系統尺寸和成本。 特性 最高結溫175°C 雪崩額定200 mJ 無逆向恢復/無正向恢復 易于并行 高浪涌電流容量 正溫度系數 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 08-04 15:02 ? 34次 閱讀
FFSB10120A SiC二極管 1200V 10A D2PAK

FFSB20120A SiC二極管 1200V 20A D2PAK

硅(SiC)肖特基二極管采用全新技術,與硅相比,可提供卓越的開關性能和更高的可靠性。沒有反向恢復電流,溫度獨立開關特性和出色的熱性能使碳化硅成為下一代功率半導體。系統優勢包括最高效率,更快的工作頻率,更高的功率密度,更低的EMI,以及降低的系統尺寸和成本。 特性 最高結溫175°C 雪崩額定200 mJ 高浪涌電流容量 正溫度系數 易于平行 無逆向恢復/無正向恢復 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 08-04 15:02 ? 24次 閱讀
FFSB20120A SiC二極管 1200V 20A D2PAK

FFSD1065A SiC二極管 - 650V 10A DPAK

硅(SiC)肖特基二極管采用全新技術,可為硅提供卓越的開關性能和更高的可靠性。無反向恢復電流,溫度獨立開關特性和出色的熱性能使碳化硅成為下一代功率半導體。系統優勢包括最高效率,更快的工作頻率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系統尺寸和成本。 Llew 特性 最高結溫175°C 高浪涌電流容量 正溫度系數 無逆向恢復/無正向恢復 應用 PFC 工業電源 太陽能 EV充電器 UPS 焊接 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 08-04 14:02 ? 22次 閱讀
FFSD1065A SiC二極管 -  650V 10A DPAK

FFSH1665A SiC二極管 - 650 V 16 A.

硅(SiC)肖特基二極管采用全新技術,可為硅提供卓越的開關性能和更高的可靠性。無反向恢復電流,溫度獨立開關特性和出色的熱性能使碳化硅成為下一代功率半導體。系統優勢包括最高效率,更快的工作頻率,更高的功率密度,更低的EMI以及更小的系統尺寸和成本。 特性 最高結溫175°C 高浪涌電流容量 正溫度系數 無逆向恢復/無正向恢復 應用 PFC 工業電源 太陽能 EV充電器 UPS 焊接 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 08-04 14:02 ? 30次 閱讀
FFSH1665A SiC二極管 -  650 V 16 A.

FFSB1065A SiC二極管 - 650V 10A D2PAK

硅(SiC)肖特基二極管采用全新技術,可為硅提供卓越的開關性能和更高的可靠性。無反向恢復電流,溫度獨立開關特性和出色的熱性能使碳化硅成為下一代功率半導體。系統優勢包括最高效率,更快的工作頻率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系統尺寸和成本。 Llew 特性 最高結溫175°C 高浪涌電流容量 正溫度系數 無逆向恢復/無正向恢復 應用 PFC 工業電源 太陽能 EV充電器 UPS 焊接 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 08-04 14:02 ? 51次 閱讀
FFSB1065A SiC二極管 -  650V 10A D2PAK

FFSB0465A SiC二極管 - 650V 4A D2PAK

硅(SiC)肖特基二極管采用全新技術,可為硅提供卓越的開關性能和更高的可靠性。無反向恢復電流,溫度獨立開關特性和出色的熱性能使碳化硅成為下一代功率半導體。系統優勢包括最高效率,更快的工作頻率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系統尺寸和成本。 Llew 特性 最高結溫175°C 高浪涌電流容量 正溫度系數 無逆向恢復/無正向恢復 應用 PFC 工業電源 太陽能 EV充電器 UPS 焊接 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 08-04 13:02 ? 30次 閱讀
FFSB0465A SiC二極管 -  650V 4A D2PAK

FFSB0865A SiC二極管 - 650V 8A D2PAK

硅(SiC)肖特基二極管采用全新技術,可為硅提供卓越的開關性能和更高的可靠性。無反向恢復電流,溫度獨立開關特性和出色的熱性能使碳化硅成為下一代功率半導體。系統優勢包括最高效率,更快的工作頻率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系統尺寸和成本。 Llew 特性 最高結溫175°C 高浪涌電流容量 正溫度系數 無逆向恢復/無正向恢復 應用 PFC 工業電源 太陽能 EV充電器 UPS 焊接 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 08-04 13:02 ? 38次 閱讀
FFSB0865A SiC二極管 -  650V 8A D2PAK

FFSM0465A SiC二極管 - 650V 4A PQFN88

硅(SiC)肖特基二極管采用全新技術,可為硅提供卓越的開關性能和更高的可靠性。無反向恢復電流,溫度獨立開關特性和出色的熱性能使碳化硅成為下一代功率半導體。系統優勢包括最高效率,更快的工作頻率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系統尺寸和成本。 Llew 特性 最高結溫175°C 高浪涌電流容量 正溫度系數 無逆向恢復/無正向恢復 應用 PFC 工業電源 太陽能 EV充電器 UPS 焊接 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 08-04 12:02 ? 33次 閱讀
FFSM0465A SiC二極管 -  650V 4A PQFN88

FFSB1265A SiC二極管 - 650V 12A D2PAK

硅(SiC)肖特基二極管采用全新技術,可為硅提供卓越的開關性能和更高的可靠性。無反向恢復電流,溫度獨立開關特性和出色的熱性能使碳化硅成為下一代功率半導體。系統優勢包括最高效率,更快的工作頻率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系統尺寸和成本。 Llew 特性 最高結溫175°C 高浪涌電流容量 正溫度系數 無逆向恢復/無正向恢復 應用 PFC 工業電源 太陽能 EV充電器 UPS 焊接 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 08-04 12:02 ? 60次 閱讀
FFSB1265A SiC二極管 -  650V 12A D2PAK

FFSB0665A SiC二極管 - 650V 6A D2PAK

硅(SiC)肖特基二極管采用全新技術,可為硅提供卓越的開關性能和更高的可靠性。無反向恢復電流,溫度獨立開關特性和出色的熱性能使碳化硅成為下一代功率半導體。系統優勢包括最高效率,更快的工作頻率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系統尺寸和成本。 Llew 特性 最高結溫175°C 高浪涌電流容量 正溫度系數 無逆向恢復/無正向恢復 應用 PFC 工業電源 太陽能 EV充電器 UPS 焊接 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 08-04 12:02 ? 53次 閱讀
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